英飛凌在馬來西亞啟用全球最大碳化矽（SiC）功率半導體製造園區。（圖片來源：英飛凌）
德國晶片大廠英飛凌（Infineon）宣布，全球最大碳化矽（SiC）功率半導體製造園區8日在馬來西亞正式啟用，除了產品有助於電動車、資料中心提高效能、減少碳排，也承諾第3期工廠將採用100%綠電，確保持續朝2030年碳中和目標邁進。
企業關注能效提升，英飛凌大馬擴廠搶攻綠商機
全球脫碳轉型的永續作為推升對功率半導體的需求，英飛凌為了鞏固領導者地位，選擇在馬來西亞北部的居林縣（Kulim）擴大投資，發展以碳化矽及氮化鎵（GaN）為主的寬能隙（Wide Band Gap, WBG）技術，可為電動車、快速充電樁、再生能源系統、資料中心等提高能源使用效率。
相較於一般矽晶圓，寬能隙半導體能承受較高溫度及電壓，其中碳化矽是電動車充電樁、再生能源基礎建設的關鍵材料，而氮化鎵有更高的功率密度，能夠有效轉換電力、減少能量損失，讓充電器及電壓器變得更小。
新園區共分3期，最新啟用的是第1期，英飛凌一共投入20億歐元（約新台幣718億元），第2期投資金額為50億歐元（約新台幣1,796億元），如果順利啟用，新園區就會成為全球最大8吋碳化矽功率半導體的製造基地。
儘管產品還沒交付，但英飛凌與客戶從設計開始的合作案，訂單金額已經高達50億歐元，另外客戶預付款也有1億歐元（約新台幣35.9億元），預料都將成為擴建第3期工廠的資金。
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鳥瞰英飛凌在居林縣的碳化矽（SiC）功率半導體園區。（圖片來源：英飛凌）
新廠用綠色冷媒、提高水資源效率，目標取得綠建築
英飛凌執行長漢尼貝克（Jochen Hanebeck）表示，由於半導體的需求持續成長，對居林縣的投資引來客戶高度興趣，且透過預付款的方式表達支持，也增強綠色轉型所需關鍵零組件供應鏈的彈性。
為了減少碳排，英飛凌表示，第3期工廠將使用100%再生能源，並採用最新減排系統及綠色冷媒，同時提高間接材料回收率及水資源使用效率，目標是取得當地綠色建築指數（Green Building Index,GBI）的認證。
《日經亞洲》（Nikkie Asia）、《彭博》（Bloomberg）都認為，英飛凌這次擴大投資，凸顯美中貿易戰等地緣政治影響下，馬來西亞在全球半導體供應鏈的地位正在逐漸上升，過去幾年崛起成為全球封裝中心，包括英特爾、日月光等大廠都加碼布局，最主要因為有技術的勞動力成本較低、同時鄰近主要市場。
資料來源：Infineon、Nikkei Asia、Bloomberg
